MKP386M412200JT7 datasheet
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>> MKP386M412200JT7 薄膜电容器 MKP 386M 120NF 5% 2000V= datasheet 半导体模块
型号:
MKP386M412200JT7
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Roederstein
描述:
薄膜电容器 MKP 386M 120NF 5% 2000V=
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 薄膜电容器
描述
薄膜电容器 MKP 386M 120NF 5% 2000V=
MKP386M412200JT7 PDF下载
制造商
Vishay/Roederstein
产品类型
Snubber
电介质
电容
0.12 uF
容差
5 %
电压额定值
系列
MKP386M
工作温度范围
0 C to 85 C
端接类型
Lug
引线间隔
32.3 mm
相关资料
属性
链接
代理商
MKP386M412200JT7
MKP386M515200YT4
MKP386M530125YT4
MKP386M550125YT4
MKP3V120G
MKP3V120RLG
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62104931
刘先生
无锡固电半导体股份有限公司
15961889150
刘小姐
深圳市科思奇电子科技有限公司
0755-83245050
林小姐/欧阳先生
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
甄芯网
0755-83665813
柯
深圳市硅宇电子有限公司
13424293654
唐先生
MKP386M412200JT7 参考价格
价格分段
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